Nouveau laser a semi-conducteur pulse

Le LiDAR (détection et mesure au laser) est un élément important de presque tous les systèmes d'assistance à la conduite (à l'exception de Tesla). Des systèmes tels que le freinage d'urgence et l'assistance de voie dans les véhicules semi-automatiques ou automatisés utilisent LiDAR pour calculer la distance.

En effet, le système LiDAR peut émettre des impulsions laser vert astronomie très courtes. Lorsqu'une impulsion laser frappe un objet ou une personne, le laser est réfléchi et capturé par le détecteur. Le temps très court nécessaire à une impulsion laser pour frapper un objet ou un corps et être réfléchi peut être utilisé pour calculer la distance de l'appareil à l'objet. Le système de sécurité de conduite assisté ou automatisé peut alors décider si le véhicule doit freiner, ralentir ou contourner la personne ou l'objet.

La nouvelle diode laser à impulsions laser d'OSRAM Opto Semiconductors fournit une diode laser 500mW à impulsions plus puissante et plus efficace pour les systèmes LiDAR. Le faisceau laser infrarouge émis par son bord peut balayer une zone angulaire spécifique près de la voiture.

Combinés à ces analyses, vous pouvez créer une carte d'environnement 3D haute résolution. Avec cette carte 3D, la technologie peut répondre rapidement à toute situation de trafic.

OSRAM Opto Semiconductors indique que le pointeur laser bleu peut fonctionner à des courants élevés allant jusqu'à 40 A et atteindre une puissance de sortie typique de 125 W. Le laser convient aux applications automobiles et présente les avantages d'une longue durée de vie et d'un rendement élevé. Dans le même temps, l'aspect compact de la diode laser permet une conception flexible du système dans le véhicule.

La technologie de croissance des matériaux épitaxiaux au laser à semi-conducteurs est au cœur du développement du laser à semi-conducteurs. Des processus de croissance de matériau épitaxial de haute qualité, une densité de défauts de surface extrêmement basse et une densité de défauts in vivo sont des conditions préalables et des garanties pour atteindre une puissance de sortie de crête élevée. En outre, les impuretés jouent également un rôle important dans les matériaux semi-conducteurs: on peut dire que sans un processus de dopage épitaxial précis des semi-conducteurs, il n’existe pas de laser à puits quantiques hautes performances. Principalement par l'optimisation de la courbe de dopage, le chevauchement du champ lumineux et de la région fortement dopée est réduit, ce qui réduit la perte d'absorption de la porteuse libre et améliore l'efficacité de conversion du dispositif.

Le refroidissement et l’emballage des puces stylo laser constituent une part importante de la fabrication de lasers à semi-conducteurs de haute puissance, et la technologie de mise en forme du faisceau laser et d’intégration laser est le principal moyen d’obtenir des kilowatts et des mégawatts de lasers. En raison de la puissance de sortie élevée et de la petite surface émettrice de lumière des lasers à semi-conducteurs de haute puissance, la densité de chaleur générée pendant le fonctionnement est élevée, ce qui impose des exigences plus élevées en termes de structure et de processus de boîtier. La recherche technologique clé sur les emballages de laser à semi-conducteurs de haute puissance consiste à résoudre le problème de la chaleur, des matériaux d’emballage et des contraintes dans la conception de l’emballage à contrainte thermique, et à réaliser la percée technologique du laser à semi-conducteur direct en une puissance, une luminosité et une fiabilité élevées.